山東瑞能儀器有限公司 
(測定三氯氫硅中痕量磷儀器-GC3900)
 一、 前言
 半導體硅材料中磷含量的高低，直接影響器件的電性能。隨著硅材料研究及生產的不斷提高，對于原材料三氯氫硅中磷的測試靈敏度、速度、準確度提出高要求。
 三氯氫硅中雜質磷的分析，傳統的方法為將雜質磷轉變成磷鉬雜多酸，再還原成磷鉬藍進行比色測定。在此基礎上后來有改進，諸如經苯肟酮或硫氰化銨比色測定鉬，或利用化學光譜法測出鉬量進而間接換算出磷含量；取樣量等。雖然在靈敏度上有提高，但都要經過使磷形成磷鉬雜多酸這一過程。為要形成穩定的絡合物來分離基本和消除雜質干擾，化學分離手續相當繁雜，分析時間長，而且，測定靈敏度也不能滿足生產上的要求。
 滕州瑞能分析儀器有限公司 為了提高三氯氫硅中雜質磷分析靈敏度和速度，相關科研人員為此做了大量工作，并取得了成績。例如，有專家采用氣相色譜法測定了三氯氫硅中以PCL3與POCL3形式存在的磷含量。然而，三氯氫硅中雜質磷還可能以其他形式存在(例如，PCL5、PSCL3)，因此，欲采用氣相色譜法測定總磷含量，首先樣品中以各種形式存在的磷從分離柱中流出，這無疑是一項很艱巨的工作，至今尚未見到報道。又例如，有專家采用“ICP—MS”法測定三氯氫硅中痕量雜質磷，測試方法雖然簡捷，遺憾的是，測定靈敏度下限僅為0.3PPb，不能滿足多晶硅生產工藝對三氯氫硅中雜質磷的分析要求(工藝要求三氯氫硅中雜質磷含量應小于0.1PPb)。
 
 二、 滕州瑞能分析儀器有限公司研制出測定三氯氫硅中痕量磷儀器“高溫氫還原—火焰光度氣相色譜儀”。
 針對上述(shu)現狀，與大量的(de)(de)切合(he)實戰分析(xi)，研制出(chu)測定三(san)氯(lv)氫(qing)硅(gui)中痕量磷儀(yi)器(qi)“高(gao)溫氫(qing)還原(yuan)—火(huo)焰光度氣相色譜儀(yi)”。進幾(ji)年(nian)已在國內硅(gui)行業多(duo)個(ge)生產(chan)(chan)廠家得到應用，與價(jia)格昂貴的(de)(de)“ICP-MS”法比較(jiao)有廉(lian)價(jia)實用，快(kuai)速測定，痕量(≤0.06PPb)分析(xi)，耗材(cai)低(di)等特性。對于快(kuai)速反應指導三(san)氯(lv)氫(qing)硅(gui)生產(chan)(chan)工藝，加(jia)提純硅(gui)產(chan)(chan)品，為(wei)社(she)會(hui)提供優質*的(de)(de)單晶硅(gui)產(chan)(chan)品，是我(wo)們瑞能(neng)公司(si)推出(chu)此套(tao)分析(xi)儀(yi)器(qi)的(de)(de)宗旨，也(ye)是您可信賴(lai)的(de)(de)合(he)作伙伴(ban)。

 三、 GC3900儀器的特點和指標
 1、 所測三氯氫硅中雜質磷含量為總磷含量；
 2、 三氯氫硅中雜質磷含量測定下限為0.06PPb；
 3、 測定手續簡便用注射針筒向儀器注入三氯氫硅即可；
 4、 測定周期短，自注入三氯氫硅到測出磷化氫峰高(或面積)需時20分鐘；
 5、 儀器結構簡潔、直觀，便于使用和維修。
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